晶合集成引领创新：55纳米BSI图像传感器助力智能手机摄影升级
4月10日，合肥新站高新区传来喜讯，晶合集成在成功量产90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS后，再次推出创新产品。近期，该公司位于合肥综保区的工厂实现了55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器（BSI）的批量生产，这一突破将为智能手机摄影带来革命性的提升。
随着5000万像素CIS在智能手机市场的快速普及，晶合集成携手国内设计公司，依托自主研发的55纳米工艺平台，采用先进的背照式工艺技术和复合式金属栅栏。这一创新不仅提高了产品的进光量，还实现了高动态范围、超低噪声和PDAF相位检测对焦等多项优势。
晶合集成引领创新55纳米BSI图像传感器助力智能手机摄影升级
值得一提的是，该技术采用单芯片架构，有效减少了芯片用量，缩短了生产周期，并将像素规格缩小了20%，像素尺寸达到0.702μm。这使得整体像素提升至5000万水平，为智能手机主摄、辅摄及前摄镜头等提供了更高质量的图像解决方案。据悉，这是国内首颗量产的5000万像素BSI。
晶合集成计划在今年内实现CIS产能的倍速增长，出货量占比将大幅提升，使其成为继显示驱动芯片之后的第二大产品主轴。作为安徽省重要的外向型经济窗口，合肥综合保税区正聚焦集成电路和新型显示产业，打造特色产业集群。目前，该区已跻身百亿产业园区，吸引了晶合、奕瑞、汇成、颀中等一批具有国际影响力的行业龙头企业入驻。
综保区持续优化配套营商环境，为园区的高质量发展提供持续动力。2024年1-2月，合肥综合保税区实现进出口额29.47亿元，同比增长24.2%，增速位居全省综保区第二。这一系列成就标志着晶合集成在技术创新和产业升级方面迈出了坚实的步伐，为智能手机摄影的未来发展奠定了坚实基础。
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