原台积电申请新型集成电路及形成方法专利
金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）申请了一项名为“集成电路及其形成方法”的专利，公开号为CN117423703A，申请日期为2023年9月。该专利摘要显示，根据本申请的实施例，提供了一种包含互补场效应晶体管（CFET）的集成电路。CFET由垂直堆叠的第一晶体管和第二晶体管组成，其中导电通孔从第一晶体管的第一源极/漏极区垂直延伸穿过第二晶体管。第二晶体管则具有非对称的第二源极/漏极区，这种非对称性有助于确保第二源极区不会与导电通孔接触。此外，根据本申请的其他实施例，还提供了一种用于形成集成电路的方法。
台积电申请新型集成电路及形成方法专利
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