韩媒：芯片巨头计划升级在华工厂

韩国SK海力士计划突破美对华EUV光刻机出口限制，提升中国半导体工厂技术

本报驻韩国特约记者丁玲根据韩媒报道，韩国芯片巨头SK海力士正计划突破美国对中国极紫外（EUV）光刻机出口的限制，以对其在中国的半导体工厂进行技术提升和改造。这一举措被外界解读为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，韩国芯片企业正寻求各种可能的方法以提高在华工厂的制造工艺水平。

韩国《首尔经济》13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划在今年将其位于中国无锡的工厂部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示无法证实工厂的具体运营计划。无锡工厂作为SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量的40%。目前，该工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并非易事，因为自2019年起，美国为了阻止中国半导体产业的崛起，开始单方面限制向中国出口制造尖端半导体所需的EUV光刻机。尽管如此，随着全球半导体市场的复苏，SK海力士认为扩大高性能芯片产能已刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本的产品来维持其市场份额。SK海力士总裁郭鲁正在CES展会上表示：“我们自去年以来就地缘政治问题组建了内部工作组，相信企业风险由此得到了很大程度的缓解。”

中国半导体产业水平的迅速提升引起了韩媒的高度关注。韩联社12日报道称，投资银行巴克莱的分析师在一份报告中称，中国半导体制造商的数量远比外界所认为的多。瑞银集团近期的一份报告也指出，尽管美国正通过各种手段阻止中国半导体的崛起，但中国克服这些限制的能力不可小觑。中国企业正加大对主要半导体制造设备的采购力度以增加供应。去年，包括荷兰阿斯麦集团在内的国际半导体设备生产商来自中国的订单激增。